规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | RRR030P03TLTR |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 5.2 nC |
| 最大功率 | 1W |
| 额定功率 | 1 W |
| 开通延迟时间 | 7 ns |
| 下降时间（典型） | 35 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 关断延迟时间 | 50 ns |
| 首抽头延迟 | 50 ns |
| 供电电压 | 30 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 125 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 75@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 1 W |
| 最大功耗 | 1 W |
| 传播延迟（最大） | 18 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 30 V |
| 导通电阻（最大） | 55 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.2nC @ 5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 3 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 3 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 480pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 1.6mm |
| 高度 | 0.9mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | 3TSMT |
| 包装数量 | TSMT |
| 尺寸/外形 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | P |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |