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# 元件详情：RAL035P01TCR

- **型号**: RAL035P01TCR
- **oneic 编号**: 293-RAL035P01TCR
- **厂商**: ROHM Co., Ltd.
- **描述**: MOSFET P-CH 1.5V DRIVE TUMT6 MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-Pin TUMT T/R
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 抗辐射加固 | No |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 75 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 0 V |
| FET特性 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| 栅极电荷 | 22 nC |
| 最大功率 | 1W |
| 额定功率 | 1 W |
| 上升时间（典型） | 30 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 230 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| 平均正向功率 | 1 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 12 V |
| 导通电阻（最大） | 30 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 4 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2700pF @ 6V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3.5A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | * |
| 安装类型 | * |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | * |
| 冷却的封装 | TUMT |
| 位数 | 6 |
| 供应商器件封装 | * |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | RAL035P01 |
| 极性 | P |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55C to 150C |

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