EMD12T2R

EMD12T2R

ROHM Co., Ltd.

Transistors Switching - Resistor Biased PNP/NPN 50V 30MA TRANS PREBIAS NPN/PNP EMT6 Trans Digital BJT NPN/PNP 100mA 6-Pin EMT T/R Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA

规格参数

商业参数

参数值
其他名称EMD12T2RCT
产品类别Transistors Switching - Resistor Biased
标准包装数量8,000
工厂包装数量8000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
最大功率150mW
晶体管类型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供电电压50V
基极电阻(R1)47k
过渡频率250MHz
电阻匹配比1
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic300mV @ 500µA, 10mA
发射极-基极电阻(R2)47k
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
集电极电流(Ic)(最大)100mA
初始电阻(最小)47k
集电极截止电流(最大)500nA
集电极脉冲电流 (Icm)100 mA
跳闸后电阻(R1)(最大)47k
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V

机械参数

参数值
高度0.5 mm
长度1.6 mm
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式SOT-563, SOT-666
供应商器件封装EMT6

产品信息

参数值
系列EMD12
已删除Compliant
制造商全称ROHM Semiconductor
配置Dual

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C