DTC114EUBTL

DTC114EUBTL

ROHM Co., Ltd.

TRAN DIGITAL NPN 50V 100MA UMT3 TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F Transistors Switching - Resistor Biased TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR ROHM NPN 数字晶体管, 0.1 A, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3针 SOT-323F封装 Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR

规格参数

商业参数

参数值
其他名称DTC114EUBTLCT
标准包装数量3,000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
最大功率200mW
晶体管类型NPN - Pre-Biased
供电电压50V
元件数量1
输入电阻10 kΩ
基极电阻(R1)10k
过渡频率250MHz
平均正向功率200 mW
最大功耗200 mW
电阻匹配比1
发射极-基极电阻(R2)10k
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
集电极电流(Ic)(最大)50mA
初始电阻(最小)1
集电极截止电流(最大)500nA
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V

机械参数

参数值
宽度1.35mm
高度1mm
长度2.1mm
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数3
封装形式SC-85
包装数量SOT-323F
尺寸/外形2.1 x 1.35 x 1mm
供应商器件封装UMT3F

产品信息

参数值
系列DTC114EUB
功能Y
制造商全称ROHM Semiconductor
配置Single
每IC通道数单

环境参数

参数值
工作温度+150 °C