2SCR522EBTL

2SCR522EBTL

ROHM Co., Ltd.

TRANS NPN 20V 0.2A EMT3F Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
晶体管类型NPN
供电电压20 V
Vce饱和电压(最大)120 mV
增益带宽积400 MHz
平均正向功率150 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic20 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic5 V
集电极截止电流(最大)200 mA
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce120

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式SOT-416FL-3

产品信息

参数值
系列2SCR522EB
制造商全称ROHM Semiconductor
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C