UPA650TT-E1-A

UPA650TT-E1-A

Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET P-CH 12V 5A 6-Pin WSOF T/R UPA650TT-E1-A MOSFET P-CH 12V 6-WSOF

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量1
单位包装0
标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称WSOF

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET P-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±8 V
FET特性Logic Level Gate, 1.8V Drive
最大功率200mW
下降时间(典型)315 ns
首抽头延迟400 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1.5V @ 1mA
击穿电压12 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs50@4.5V mOhm
最大功耗1400
传播延迟(最大)200 ns
导通电阻(最大)50@4.5V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs5.5nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)50 ns
漏源电压(Vdss)12V
峰值脉冲电流(10/1000µs)5 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds610pF @ 10V
连续漏极电流(Id)@ 25°C5A (Ta)

机械参数

参数值
宽度1.6
包装方式Tape and Reel
安装类型Surface Mount
封装形式6WSOF
总长度2
包装数量WSOF
位数6
外壳尺寸-插件0.75
供应商器件封装6-WSOF

产品信息

参数值
通道类型P
印刷电路板数量6

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C