---
source: huluic.cn
data_as_of: 2026-09-25T08:51:27.531Z
max_staleness: 1h
cached: false
source_url: https://huluic.cn/product/on-semiconductor/bss138lt1g/3zAAZ9z9
---

# 元件详情：BSS138LT1G

- **型号**: BSS138LT1G
- **oneic 编号**: 277-BSS138LT1G
- **厂商**: onsemi
- **描述**: Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 BSS138LT1G, N-channel MOSFET Transistor 0.2A 50V, 3-Pin SOT-23 MOSFET, N CH, 50V, 200MA, SOT-23-3 MOSFET, N, 50V, 0.2A, SOT-23 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS50VDC;RDS(ON)3.5Ohms;ID200mA;SOT-23(TO-236);PD225mW ON Semiconductor  , N沟道 MOSFET, 200 mA, Vds=50 V, 3针 SOT-23封装 MOSFET 50V 200mA N-Channel
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | BSS138LT1GOSTR |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 标准封装名称 | SOT-23 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85411000 |
| 抗辐射加固 | No |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 225mW |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 0.225 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 开通延迟时间 | 20ns |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | :N Channel |
| 关断延迟时间 | 20ns |
| 首抽头延迟 | 20 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 1mA |
| 击穿电压 | 50 V |
| 阈值电压 | :1.5V |
| 导通电阻 RDS(On) | :3.5ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3500@5V mOhm |
| 最大功耗 | 0.225 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 50 V |
| 漏电流（最大） | 0.2 A |
| 导通电阻（最大） | 3.5 Ω |
| 电流传输比（最大） | 100Millimhos |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 20(Max) ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 50V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.2 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.2 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 200mA (Ta) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 1.3mm |
| 高度 | 0.94mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 重量 | 0.000033 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 端接方式 | :SMD |
| 极化 | N-Channel |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-23 |
| 冷却的封装 | SOT-23 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 包装数量 | SOT-23 |
| 尺寸/外形 | 2.9 x 1.3 x 0.94mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 结工作温度 | +150°C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BSS138LT1-D.PDF)
- [BSS138LT1 Datasheet](http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BSS138LT1-D.PDF)
- [Datasheet](http://www.farnell.com/datasheets/1596366.pdf)
- [Datasheet](http://www.onsemi.com/pub/Collateral/2SA1020-D.PDF)

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/BSS138LT1G`

> 现货购买：[huluic.cn 产品页](https://huluic.cn/product/on-semiconductor/bss138lt1g/3zAAZ9z9?utm_source=huluic&utm_medium=md&utm_campaign=geo)

---
数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)