NTS4173PT1G
onsemi
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 MOSFET P-Channel 30V 1.3A SC70 MOSFET PFET SC70 30V TR P CHANNEL MOSFET, -30V, 1.3A, SC-70 P CHANNEL MOSFET, -30V, 1.3A, SC-70, FULL REEL ON Semiconductor , P沟道 MOSFET, 1.3 A, Vds=30 V, 3针 SC-70封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | NTS4173PT1GOSCT |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-323 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 7.1 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 290mW |
| 额定功率 | 0.35 W |
| 下降时间（典型） | 6.7|7.1 ns |
| 上升时间（典型） | 6.7 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 16.2|19.9 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :-1.15V |
| 导通电阻 RDS(On) | :90mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 150@10V mOhm |
| 最大功耗 | 0.35 W |
| 传播延迟（最大） | 5.2|6.7 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 30 V |
| 导通电阻（最大） | 280 mΩ |
| 电流传输比（最小） | 3.6 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10.1nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7.7|5.3 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 1.2 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 12 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 1.3 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 430pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.2A (Ta) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 1.35mm |
| 高度 | 0.9mm |
| 长度 | 2.2mm |
| 重量 | 0 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 3SC-70 |
| 冷却的封装 | SC-70 |
| 包装数量 | SC-70 |
| 尺寸/外形 | 2.2 x 1.35 x 0.9mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 (SOT323) |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |