规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 标准包装数量 | 1,500 |
| 标准封装名称 | DFN |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 6.2 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 10.8 nC |
| 最大功率 | 920mW |
| 额定功率 | 23.2 W |
| 上升时间（典型） | 32.7 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 16.4 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| 最大功耗 | 6160 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 6@10V |
| 电流传输比（最小） | 52 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 21.5nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 16.7 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 48 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1264pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 9.7A (Ta), 48A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 5.8 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Flat |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
| 总长度 | 4.9 |
| 包装数量 | SO-FL |
| 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.05(Max) |
| 供应商器件封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 55 C |