NTMFS4923NET1G
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Trans MOSFET N-CH 30V 38.8A 8-Pin DFN EP T/R Trans MOSFET N-CH 30V 38.8A 8-Pin SO-FL T/R MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL MOSFET N-Channel 30V 38.8A DFN8EP MOSFET NFETFL 30V 91A 3.3mOHM MOSFET, N CH, 30V, 12.7A, SO-8FL MOSFET,N-channel,30V,91A,3.3mOhm,SO8FL ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 , 91 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | NTMFS4923NET1GOSCT |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 标准封装名称 | DFN |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 6.6 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 22 nC |
| 最大功率 | 930mW |
| 额定功率 | 2.63 W |
| 下降时间（典型） | 6.6 ns |
| 上升时间（典型） | 20 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 27.5 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :1.63V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.0037ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3.3@10V mOhm |
| 最大功耗 | 48 W |
| 传播延迟（最大） | 20 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 4.8 mΩ |
| 电流传输比（最小） | 32 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 16.3 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 38.8 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 21.4 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 4850pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 12.7A (Ta), 91A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 6.1mm |
| 高度 | 1.1mm |
| 长度 | 5.1mm |
| 重量 | 0.0005 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Flat |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :5 |
| 封装形式 | 8DFN EP |
| 冷却的封装 | SO |
| 材料表面处理 | :MSL 3 - 168 hours |
| 包装数量 | SO-FL |
| 尺寸/外形 | 5.1 x 6.1 x 1.1mm |
| 位数 | 8 |
| 供应商器件封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Triple Source |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -40 to 150 °C |