NSS1C300ET4G

NSS1C300ET4G

onsemi

TRANS PNP 100V 3A 3DPAK Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量2,500
工厂包装数量2500

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
最大功率2.1W
晶体管类型PNP
供电电压100V
Vce饱和电压(最大)0.4 V
过渡频率100MHz
增益带宽积100 MHz
平均正向功率33 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic140 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic400mV @ 300mA, 3A
集电极电流(Ic)(最大)3A
集电极截止电流(最大)100nA (ICBO)
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce120 @ 1A, 2V

机械参数

参数值
包装方式*
安装类型*
安装样式SMD/SMT
封装形式*
供应商器件封装*

产品信息

参数值
系列NSS1C300E
制造商全称ON Semiconductor
配置Single

环境参数

参数值
工作温度- 65 C