MMFT107T1

MMFT107T1

onsemi

Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R MOSFET N-CH 200V 250MA SOT223

规格参数

商业参数

参数值
其他名称MMFT107T1OSDKR
标准包装数量10
标准封装名称SOT-223

合规参数

参数值
RoHSContains lead / RoHS non-compliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20
FET特性Logic Level Gate
最大功率800mW
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id3V @ 1mA
击穿电压200
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs14 Ohm @ 200mA, 10V
最大功耗800
导通电阻(最大)14000@10V
漏源电压(Vdss)200V
峰值脉冲电流(10/1000µs)0.25
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds60pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C250mA (Tc)

机械参数

参数值
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
封装形式TO-261-4, TO-261AA
包装数量SOT-223
位数4
供应商器件封装SOT-223

产品信息

参数值
通道类型Enhancement

环境参数

参数值
工作温度150