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# 元件详情：MJE200G

- **型号**: MJE200G
- **oneic 编号**: 277-MJE200G
- **厂商**: onsemi
- **描述**: Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk Transistors Bipolar - BJT 5A 25V 15W NPN TRANS NPN 40V 5A TO225AA RF TRANSISTOR, NPN 25V 65MHZ TO-225 BIPC77NPN5A25V Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
- **分类**: 分立半导体元件 / 双极型晶体管 / 通用双极型晶体管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | MJE200GOS |
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Boxed, Bulk |
| 工厂包装数量 | 500 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 频率 | 65 MHz |
| 最大功率 | 15W |
| 额定功率 | 15 W |
| 最大频率 | 65(Min) MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 25 V |
| 元件数量 | 1 |
| 25°C时电阻 | 8.34°C/W |
| Vce饱和电压（最大） | 40 V |
| 最小输入电压 | 25 V |
| 过渡频率 | 65MHz |
| 增益带宽积 | 65 MHz |
| 电源电压（最大） | 8 |
| 最大功耗 | 15000 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 8 V |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 5A |
| 集电极截止电流（最大） | 5 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 70@500mA@1V\|45@2A@1V\|10@5A@2V |
| 集电极-发射极击穿电压（最大） | 8 V |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 重量 | 0.00068 |
| 包装方式 | Bulk |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-225 |
| 冷却的封装 | TO-225 |
| 包装数量 | TO-225 |
| 主要材料 | Si |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO225AA |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | NPN |
| 已删除 | Compliant |
| 极性 | NPN |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.onsemi.com/pub/Collateral/MJE200-D.PDF)
- [MJE200,210](http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/MJE200-D.PDF)

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