MJD243T4G
onsemi
Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK Transistors Bipolar - BJT 4A 100V 12.5W NPN POWER TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK ON Semiconductor , NPN 晶体管, 4 A, Vce=100 V, HFE:15, 10 MHz, 3针 DPAK封装 Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | MJD243T4GOSCT |
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | DPAK |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 频率 | 40 MHz |
| 最大功率 | 1.4W |
| 额定功率 | 1.4 W |
| 最大电压 | 7 V |
| 最大频率 | 40(Min) MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 100V |
| 元件数量 | 1 |
| Vce饱和电压（最大） | 0.6 V |
| 最小输入电压 | 100 V |
| 过渡频率 | 40MHz |
| 增益带宽积 | 40 MHz |
| 电源电压（最大） | 7 |
| 最大功耗 | 1400 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100 V |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 集电极截止电流（最大） | 4 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 40@200mA@1V|15@1A@1V |
| 集电极-发射极击穿电压（最大） | 7 V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 重量 | 0 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :4 |
| 封装形式 | 3DPAK |
| 冷却的封装 | DPAK |
| 包装数量 | DPAK |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | NPN |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -65 to 150 °C |