MJD200G

MJD200G

onsemi

Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK Transistors Bipolar - BJT 5A 25V 12.5W NPN TRANSISTOR,BIP,PNP,5A,25V ON Semiconductor , NPN 晶体管, 5 A, Vce=25 V, HFE:10, 10 MHz, 3针 DPAK封装 Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN

规格参数

商业参数

参数值
产品类别Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量75
标准封装名称DPAK

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

参数值
频率65 MHz
最大功率1.4W
额定功率1.4 W
最大频率65(Min) MHz
晶体管类型NPN
供电电压25V
元件数量1
25°C时电阻10°C/W
Vce饱和电压(最大)1.8 V
工作频率10 MHz
最小输入电压25 V
过渡频率65MHz
增益带宽积65 MHz
电源电压(最大)8
平均正向功率12.5 W
最大功耗1400 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic40 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1.8V @ 1A, 5A
集电极电流(Ic)(最大)5A
集电极截止电流(最大)5 A
阳极-阴极电压(Vak)(最大)8 V
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V
集电极-发射极击穿电压(最大)8 V

机械参数

参数值
宽度6.22mm
高度2.38mm
长度6.73mm
包装方式Rail
插片宽度Tab
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数3
封装形式3DPAK
冷却的封装DPAK
总长度6.73(Max)
包装数量DPAK
主要材料Si
尺寸/外形6.73 x 6.22 x 2.38mm
位数3
外壳尺寸-插件2.38(Max)
供应商器件封装DPAK-3

产品信息

参数值
类型NPN
系列MJD200
已删除Compliant
功能Y
极性NPN
制造商全称ON Semiconductor
配置Single
印刷电路板数量2

环境参数

参数值
工作温度-65 to 150 °C