规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 标准封装名称 | DPAK |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 频率 | 65 MHz |
| 最大功率 | 1.4W |
| 额定功率 | 1.4 W |
| 最大频率 | 65(Min) MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 25V |
| 元件数量 | 1 |
| 25°C时电阻 | 10°C/W |
| Vce饱和电压(最大) | 1.8 V |
| 工作频率 | 10 MHz |
| 最小输入电压 | 25 V |
| 过渡频率 | 65MHz |
| 增益带宽积 | 65 MHz |
| 电源电压(最大) | 8 |
| 平均正向功率 | 12.5 W |
| 最大功耗 | 1400 mW |
| 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 40 V |
| Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
| 集电极电流(Ic)(最大) | 5A |
| 集电极截止电流(最大) | 5 A |
| 阳极-阴极电压(Vak)(最大) | 8 V |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V |
| 集电极-发射极击穿电压(最大) | 8 V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 6.22mm |
| 高度 | 2.38mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 包装方式 | Rail |
| 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | 3DPAK |
| 冷却的封装 | DPAK |
| 总长度 | 6.73(Max) |
| 包装数量 | DPAK |
| 主要材料 | Si |
| 尺寸/外形 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 2.38(Max) |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | NPN |
| 系列 | MJD200 |
| 已删除 | Compliant |
| 功能 | Y |
| 极性 | NPN |
| 制造商全称 | ON Semiconductor |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 2 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
相似型号
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Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK Transistors Bipolar - BJT 5A 25V 12.5W NPN TRANSISTOR,BIP,PNP,5A,25V ON Semiconductor , NPN 晶体管, 5 A, Vce=25 V, HFE:10, 10 MHz, 3针 DPAK封装 Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
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