BCW66GLT3G
onsemi
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Transistors Bipolar - BJT GENRL TRANSISTOR TRANS GP NPN 45V 800MA SOT-23 Transistor NPN 45V 800mA HFE:160 SOT23 TransistorNPN45V800mAHFE:160SOT23 ON Semiconductor , NPN 晶体管, 1.2 A, Vce=45 V, HFE:50, 100 MHz, 3针 SOT-23封装 Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 标准封装名称 | SOT-23 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 频率 | 100 MHz |
| 最大功率 | 225mW |
| 额定功率 | 0.3 W |
| 最大频率 | 100(Min) MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 45 V |
| 元件数量 | 1 |
| Vce饱和电压（最大） | 700 mV |
| 工作频率 | 100 MHz |
| 最小输入电压 | 45 V |
| 过渡频率 | 100MHz |
| 增益带宽积 | 100 MHz |
| 电源电压（最大） | 5 V dc |
| 平均正向功率 | 300 mW |
| 最大功耗 | 300 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 75 V |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 5 V |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 800mA |
| 集电极截止电流（最大） | 0.8 A |
| 阳极-阴极电压（Vak）（最大） | 5 V |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 50@100uA@10V|110@10mA@1V|160@100mA@1V|60@500mA@2V |
| 集电极-发射极击穿电压（最大） | 5 V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 2.64mm |
| 高度 | 1.11mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 包装方式 | Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | 3SOT-23 |
| 冷却的封装 | SOT-23 |
| 包装数量 | SOT-23 |
| 尺寸/外形 | 3.04 x 2.64 x 1.11mm |
| 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | NPN |
| 系列 | BCW66GLT3G |
| 功能 | Y |
| 制造商全称 | ON Semiconductor |
| 卡标准 | General Purpose |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |