2SD1815S-H

2SD1815S-H

onsemi

BIP NPN 3A 100V TRANS NPN BIPO 3A 100V TP Transistors Bipolar - BJT BIP NPN 3A 100V Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量500
工厂包装数量500

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
最大功率1W
晶体管类型NPN
供电电压100V
过渡频率180MHz
平均正向功率1 W
最大功耗1 W
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic400mV @ 150mA, 1.5A
集电极电流(Ic)(最大)3A
集电极截止电流(最大)3 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce140 @ 500mA, 5V

机械参数

参数值
包装方式Bulk
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
封装形式TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
供应商器件封装TP

产品信息

参数值
系列2SD1815
制造商全称ON Semiconductor