BSN20,215
NXP Semiconductors N.V.
Trans MOSFET N-CH 50V 0.173A 3-Pin TO-236AB T/R Trans MOSFET N-CH 50V 0.173A 3-Pin TO-236AB MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23 BSN20,215, N-channel MOSFET Transistor 0.173A 50V, 3-Pin TO-236AB MOSFET N-CH TRNCH 50V 173MA MOSFET, N CH, 50V, 0.173A, SOT23 NXP N沟道 MOSFET 晶体管 , 170 mA, Vds=50 V, 3针 TO-236AB封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 568-1658-1 |
| 零件号别名 | BSN20 T/R |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-23 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 830mW |
| 额定功率 | 830 mW |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 1mA |
| 击穿电压 | 50 V |
| 阈值电压 | :1V |
| 导通电阻 RDS(On) | :2.8ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 15000@10V mOhm |
| 最大功耗 | 0.83 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 50 V |
| 导通电阻（最大） | 15 Ω |
| 漏源电压（Vdss） | 50V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.173 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.173 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 25pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 173mA (Ta) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 1.4mm |
| 高度 | 1mm |
| 长度 | 3mm |
| 重量 | 0.000033 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-236AB |
| 冷却的封装 | TO-236AB |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 3(Max) |
| 包装数量 | TO-236AB |
| 尺寸/外形 | 3 x 1.4 x 1mm |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 1(Max) |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -65 to 150 °C |