2N7002,215

2N7002,215

NXP Semiconductors N.V.

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 2N7002,215, N-channel MOSFET Transistor 0.3A 60V, 3-Pin TO-236AB MOSFET, N CH, 60V, 300MA, SOT-23-3 NXP N沟道 Si MOSFET , 300 mA, Vds=60 V, 3针 TO-236AB封装

规格参数

商业参数

参数
其他名称568-1369-1
标准包装数量Cut Tape
标准封装名称SOT-23

合规参数

参数
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
抗辐射加固No

电气参数

参数
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs30 V
FET特性Logic Level Gate
最大功率830mW
噪声系数Not Required dB
额定功率0.83 W
额定输出功率Not Required dB
最大频率Not Required MHz
晶体管类型:N Channel
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id2.5V @ 250µA
击穿电压60 V
阈值电压:2V
导通电阻 RDS(On):2.8ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs5000@10V mOhm
最大功耗0.83 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60 V
漏电流(最大)0.3 A
导通电阻(最大)5 Ω
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)60V
峰值脉冲电流(10/1000µs)0.3 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)0.3 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds50pF @ 10V
连续漏极电流(Id)@ 25°C300mA (Ta)

机械参数

参数
宽度1.4mm
高度1mm
长度3mm
重量0.00001
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
引脚数:3
封装形式3TO-236AB
冷却的封装TO-236AB
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度3(Max)
包装数量TO-236AB
尺寸/外形3 x 1.4 x 1mm
位数3
外壳尺寸-插件1(Max)
供应商器件封装SOT-23-3

产品信息

参数
类型Power MOSFET
极性N
通道类型Enhancement
卡标准Power MOSFET
配置Single
印刷电路板数量3

环境参数

参数
工作温度-65 to 150 °C