PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNEZ

Nexperia B.V.

MOSFET 20 V, dual N-channel Trench MOSFET

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量5000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
下降时间51 ns
最大栅源电压 Vgs8 V, 8 V
栅极电荷0.4 nC
上升时间(典型)9.2 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟19 ns
通道数量2 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id450 mV, 450 mV
平均正向功率380 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic20 V, 20 V
导通电阻(最大)3 Ohms, 3 Ohms
电流传输比(最小)1 S
连续漏极电流(Id)@ 25°C600 mA, 600 mA

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式DFN1010B-6

产品信息

参数值
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称Nexperia
配置Dual

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C