PC28F512M29EWLA

PC28F512M29EWLA

Micron Technology, Inc.

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray IC FLASH 512MBIT 100NS 64FBGA Flash Memory 512Mb,3V,100ns,BGA64 FLASH, PARALLEL, 512MBIT, 64FBGA Micron 闪存, 512Mbit (32M x 16 位,64M x 8 位), 并行接口, 100ns, 2.7 → 3.6 V, 64针 FBGA封装

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量Trays

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号85423261
抗辐射加固No

电气参数

参数值
转速100ns
存储器:64M x 8bit
接口Parallel
存取时间100ns
存储器容量512M (64M x 8, 32M x 16)
存储器类型FLASH - NOR
额定电压3|3.3 V
输出电流31 mA
供电电压2.7 V ~ 3.6 V
双向通道数Asynchronous
最小供电电压3.6 V
每元件位数8/16bit

机械参数

参数值
尺寸16/32 word/byte
宽度13mm
高度1.4mm
长度11mm
重量0.00025
包装方式Tray
连接器护套颜色Bottom/Top
安装类型Surface Mount
引脚数:64
封装形式64Fortified BGA
冷却的封装FBGA
材料表面处理:MSL 3 - 168 hours
主要材料NOR
尺寸/外形11 x 13 x 1.4mm
位数64
供应商器件封装64-FBGA (11x13)

产品信息

参数值
已删除Compliant
密度512 Mb
安装位置Bottom|Top
扇区大小128Kbyte x 512
架构Sectored
制造商全称32M x 16 bit, 64M x 8 bit
可编程性Yes
存储器格式FLASH
总线连接26/25 b
字容量32M, 64M
存储器架构Symmetrical
地址数量26/25 Bit
定时调节方式Asynchronous

环境参数

参数值
工作温度-40 to 85 °C
结工作温度85C