MT49H64M9BM-25:B TR

MT49H64M9BM-25:B TR

Micron Technology, Inc.

IC RLDRAM 576MBIT 2.5NS UBGA

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量1,000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
转速2.5ns
接口Parallel
存储器容量576M (64M x 9)
存储器类型RLDRAM 2
供电电压1.7 V ~ 1.9 V

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
封装形式144-TFBGA
供应商器件封装144-µBGA (18.5x11)

产品信息

参数值
存储器格式RAM

环境参数

参数值
工作温度0°C ~ 95°C