TC4469COE

TC4469COE

Microchip Technology Inc.

MOSFET DRVR 1.2A 4-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube 4xDr AND/INV 1.2A 18V SO-16 SMD IC MOSFET DVR AND/INV 16SOIC TC4469COE, Quad MOSFET Power Driver 1.2A, 4.5 to 18V, 16-Pin SOIC W Gate Drivers 1.2A Quad LOGIC I/P DRIVER, MOSFET, 1.2A, QUAD, WSOIC16 1.2AQUADMOSFETDRVR,LOGICI/P,SOIC-16 Driver; 1.2A; Channels:4; non-inverting; 4.5÷18V; SO16 Driver IC, SOIC-16, 1.2 A, Inverting / Non Inverting, TC4469COE, Microchip Microchip 4路 MOSFET 功率驱动器, 1.2A, 16针 SOIC封装

规格参数

商业参数

参数
最小起订量282
产品MOSFET Gate Drivers
单位包装47
产品类别Gate Drivers
标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量47
标准封装名称SOIC W

合规参数

参数
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85235290
汽车级NO
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform
故障保护NANY/N/NA/NAN

电气参数

参数
输出端non-inverting
下降时间25 ns
延迟时间40ns
输入类型Inverting and Non-Inverting
额定功率0.76 W
额定电压4.5 V
上升时间(典型)25 ns
输出电流4 mA
供电电流4 mA
驱动电路Low Side
供电电压4.5 V ~ 18 V
输出数量4
通道数量4
峰值输出电流1.2(Typ) A
最小输入电压18V
最小供电电压18 V
输入逻辑低电平CMOS
最大功耗760 mW
传播延迟时间75 ns
输入逻辑高电平CMOS
导通电阻(最大)NY/N/NA/NAN
反向恢复时间(trr)15ns
传播速度(VoP)4.5V
滑臂电阻(欧姆)(典型)10 Ohm
峰值脉冲电流(10/1000µs)1.2A
漏电流(IS(off))(最大)NY/N/NA/NAN
最大传播延迟 @ V, 最大CL25
冲击放电电流 (8/20µs)15ns
传播延迟 tpLH / tpHL(最大)75
共模瞬态抗扰度(最小)Commercial

机械参数

参数
宽度7.49mm
高度2.31mm
长度10.3mm
重量0.000638
包装方式Tube
封装体颜色:SOIC
引脚样式Gull-wing
端接方式:SMD
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:16
封装形式16SOIC W
冷却的封装SOIC W
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
包装数量SOIC W
尺寸/外形10.3 x 7.49 x 2.31mm
位数16
供应商器件封装16-SOIC W

产品信息

参数
SPG47
类型Low Side
已删除Compliant
基本单元:4469
匹配码TC4469COE
配置Low-Side
单元数量1
模块/板类型:Low Side
驱动器数量4
标准交期14 weeks
应用细节4xStage
配置数4

环境参数

参数
工作温度0 to 70 °C
结工作温度0°C