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# 元件详情：VP0106N3-G

- **型号**: VP0106N3-G
- **oneic 编号**: 260-VP0106N3-G
- **厂商**: Microchip Technology Inc.
- **描述**: MOSFET P-CH 60V 250MA 3TO-92 MOSFET 60V 8Ohm
- **分类**: 分立半导体元件 / 双极型晶体管 / 通用双极型晶体管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 标准包装数量 | 1,000 |
| 工厂包装数量 | 1000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 4 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 1W |
| 上升时间（典型） | 5 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 8 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3.5V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 500mA, 10V |
| 平均正向功率 | 1 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 60 V |
| 导通电阻（最大） | 8 Ohms |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 4 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 60pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 250mA (Tj) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 长度 | 5.21 mm |
| 包装方式 | * |
| 安装类型 | * |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | * |
| 供应商器件封装 | * |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | FET |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Microchip Technology |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | + 150 C |

## 数据手册

- [VP0106](http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570702)

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/VP0106N3-G`

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数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)