VP0106N3-G P013

VP0106N3-G P013

Microchip Technology Inc.

MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

规格参数

商业参数

参数
产品MOSFET Small Signal
工厂包装数量2000

合规参数

参数
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数
下降时间4 ns
最大栅源电压 Vgs20 V
上升时间(典型)3 ns
晶体管类型P-Channel
首抽头延迟8 ns
通道数量1 Channel
平均正向功率1 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 60 V
导通电阻(最大)15 Ohms
开关时间(Ton, Toff)(最大)4 ns
连续漏极电流(Id)@ 25°C- 250 mA

机械参数

参数
包装方式Reel
安装样式Through Hole
封装形式TO-92-3

产品信息

参数
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称Microchip Technology
配置Single

环境参数

参数
工作温度+ 150 C