规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 2 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 2V @ 1mA |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 360mW |
| 上升时间（典型） | 2 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 7 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 120mA, 4.5V |
| 平均正向功率 | 360 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 240 V |
| 导通电阻（最大） | 15 Ohms |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 4 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 240V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 134mA (Tj) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.95 mm |
| 长度 | 2.9 mm |
| 包装方式 | * |
| 安装类型 | * |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | * |
| 供应商器件封装 | * |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | FET |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Microchip Technology |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | + 150 C |