DN2540N8-G

DN2540N8-G

Microchip Technology Inc.

MOSFET N-CH 400V 170MA 3SOT-89 MOSFET 400V 25Ohm

规格参数

商业参数

参数值
产品MOSFET Small Signal
标准包装数量2,000
工厂包装数量2000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间15 ns
最大栅源电压 Vgs20 V
FET特性Depletion Mode
最大功率1.6W
上升时间(典型)15 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟15 ns
通道数量1 Channel
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs25 Ohm @ 120mA, 0V
平均正向功率1.6 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic400 V
导通电阻(最大)25 Ohms
开关时间(Ton, Toff)(最大)10 ns
漏源电压(Vdss)400V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds300pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C170mA (Tj)

机械参数

参数值
宽度2.6 mm
高度1.6 mm
长度4.6 mm
包装方式*
安装类型*
安装样式SMD/SMT
封装形式*
供应商器件封装*

产品信息

参数值
类型FET
技术Si
通道类型Depletion
制造商全称Microchip Technology
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C