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# 元件详情：TC6320TG-G

- **型号**: TC6320TG-G
- **oneic 编号**: 260-TC6320TG-G
- **厂商**: Microchip Technology Inc.
- **描述**: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC MOSFET 200V 8.0/7.0Ohm
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 标准包装数量 | 2,000 |
| 工厂包装数量 | 3300 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | N and P-Channel |
| 下降时间 | 15 ns |
| FET特性 | Standard |
| 上升时间（典型） | 15 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel, P-Channel |
| 首抽头延迟 | 20 ns |
| 通道数量 | 2 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 200 V |
| 导通电阻（最大） | 8 Ohms, 7 Ohms |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 110pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.65 mm |
| 长度 | 4.9 mm |
| 包装方式 | * |
| 安装类型 | * |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | * |
| 供应商器件封装 | * |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Microchip Technology |
| 配置 | Dual Dual Drain |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | + 150 C |

## 数据手册

- [Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014](http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=6012&print=view)
- [TC6320](http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570098)

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/TC6320TG-G`

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数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)