规格参数
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET特性 | - |
| 最大功率 | 365W (Tc) |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.4V @ 4mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 40A, 20V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 215nC @ 20V |
| 漏源电压（Vdss） | 700V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 4500pF @ 700V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 124A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 封装形式 | Module |
| 供应商器件封装 | SP3F |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 技术 | Silicon Carbide (SiC) |
| 制造商全称 | Microchip Technology |
| 配置 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| 基础产品编号 | MSCSM70 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |