JANTXV1N5809US/TR

JANTXV1N5809US/TR

Microchip Technology Inc.

DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF

规格参数

合规参数

参数值
零件状态Active
资质认证MIL-PRF-19500/477

电气参数

参数值
转速Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
测试电流5 µA @ 100 V
电容 @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz
最小输入电压875 mV @ 4 A
反向恢复时间(trr)30 ns
直流反向电压(Vr)(最大)100 V
平均整流电流 Io3A

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
封装形式SQ-MELF, B
供应商器件封装B, SQ-MELF

产品信息

参数值
制造商Microchip Technology
等级Military
系列-
技术Standard

环境参数

参数值
结工作温度-65°C ~ 175°C