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# 元件详情：DN3545N8-G

- **型号**: DN3545N8-G
- **oneic 编号**: 260-DN3545N8-G
- **厂商**: Microchip Technology Inc.
- **描述**: MOSFET N-CH 450V 200MA 3SOT-89 MOSFET N-CH 450V 200MA SOT89-3 Small Signal FET SOT-89 N 450 V, DN3545N8-G, Microchip MOSFET 450V 20Ohm
- **分类**: 分立半导体元件 / 双极型晶体管 / 通用双极型晶体管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 标准包装数量 | 2,000 |
| 工厂包装数量 | 2000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 30 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| FET特性 | Depletion Mode |
| 最大功率 | 1.6W |
| 额定功率 | 1.6 |
| 上升时间（典型） | 30 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 30 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 150mA, 0V |
| 平均正向功率 | 1.6 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 450 V |
| 导通电阻（最大） | 20 Ohms |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 20 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 450V |
| 跳闸后电阻（R1）（最大） | 20 Ohm@ 150 mA |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 200 mA |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 360pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 200mA (Tj) |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 长度 | 4.6 mm |
| 包装方式 | * |
| 安装类型 | * |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | * |
| 供应商器件封装 | * |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | FET |
| 极性 | N |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Depletion |
| 制造商全称 | Microchip Technology |
| 配置 | Single |
| 变体后缀 | Depletion mode |
| 其他规格 | 450 V |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | + 150 C |

## 数据手册

- [DN3545](http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570590)

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/DN3545N8-G`

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