规格参数
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| 额定功率 | 0.74 W |
| 元件数量 | 1 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 导通电阻（最大） | 8 ohm |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.25 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 安装类型 | Through Hole |
| 冷却的封装 | TO-92 |
| 位数 | 3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | P |
| 通道类型 | Enhancement |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55C to 150C |