JANTX2N3439L

JANTX2N3439L

Microchip Technology Inc.

Trans GP BJT NPN 350V 1A 3-Pin TO-5 TRANS NPN Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor

规格参数

商业参数

参数值
其他名称1086-2696
标准包装数量Bulk

合规参数

参数值
RoHSContains lead / RoHS non-compliant

电气参数

参数值
最大功率800mW
晶体管类型NPN
供电电压350V
最小输入电压350 V
最大功耗800 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic450 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic500mV @ 4mA, 50mA
集电极电流(Ic)(最大)1A
集电极截止电流(最大)1 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce40@20mA@10V|30@2mA@10V|10@0.2mA@10V

机械参数

参数值
包装方式Bulk
安装类型Through Hole
封装形式3TO-5
位数3
供应商器件封装TO-5

产品信息

参数值
类型NPN
系列*
制造商全称Microsemi

环境参数

参数值
工作温度-55 to 200 °C