规格参数
规格参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 等级 | Military |
| 系列 | - |
| FET类型 | P-Channel |
| 包装方式 | Bulk |
| 零件状态 | Active |
| 最大功率 | 500 mW |
| 制造商全称 | Microchip Technology |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 资质认证 | MIL-PRF-19500 |
| 封装形式 | 3-SMD, No Lead |
| 导通电阻 RDS(On) | 75 Ohms |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 供应商器件封装 | UB |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 击穿电压（V(BR)GSS） | 30 V |
| 截止电压（VGS off）@ Id | 5 V @ 1 nA |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 30 mA @ 18 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 25pF @ 15V |