规格参数
规格参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 包装方式 | Tube |
| 技术 | Silicon Carbide (SiC) |
| FET特性 | - |
| 零件状态 | Active |
| 最大功率 | 3215W (Tc) |
| 制造商全称 | Microchip Technology |
| 配置 | 2 N Channel (Phase Leg) |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 封装形式 | Module |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.8V @ 30mA |
| 基础产品编号 | MSCSM120 |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 400A, 20V |
| 供应商器件封装 | - |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 2320nC @ 20V |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 30200pF @ 1000V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 805A (Tc) |