APTGT50TL601G
Microchip Technology Inc.
Trans IGBT Module N-CH 600V 80A 12-Pin Case SP1 POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 IGBT Modules Power Module - IGBT
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 标准包装数量 | Bulk |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 输入端 | Standard |
| IGBT类型 | Trench and Field Stop |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| 最大功率 | 176W |
| NTC热敏电阻 | No |
| 供电电压 | 600V |
| Vce饱和电压（最大） | 1.5 V |
| 最小输入电压 | 600 V |
| 平均正向功率 | 176 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 600 nA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 80A |
| 输入电容 (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| 集电极截止电流（最大） | 80 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 80 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 安装类型 | Screw |
| 安装样式 | Screw |
| 封装形式 | 12Case SP1 |
| 位数 | 12 |
| 供应商器件封装 | SP1 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 制造商全称 | Microsemi |
| 配置 | Quad |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 40 C |