2N2222A

2N2222A

Microchip Technology Inc.

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin TO-18 TRANS NPN TO-18 Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量Bulk
工厂包装数量1
标准封装名称TO-206-AA

合规参数

参数值
RoHSContains lead / RoHS non-compliant
欧盟RoHSNot Compliant
抗辐射加固No

电气参数

参数值
最大功率500mW
额定功率0.5 W
晶体管类型NPN
供电电压50V
元件数量1
Vce饱和电压(最大)300 mVDC
最小输入电压50 V
电源电压(最大)6
平均正向功率500 mW
最大功耗500 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic75 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
集电极电流(Ic)(最大)800mA
集电极截止电流(最大)0.8 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500mA@10V
集电极-发射极击穿电压(最大)6 V

机械参数

参数值
包装方式Bulk
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
封装形式3TO-18
冷却的封装TO-18
包装数量TO-18
位数3
供应商器件封装TO-18

产品信息

参数值
类型NPN
制造商全称Microsemi
配置Single

环境参数

参数值
工作温度-65 to 200 °C