MAGX-001214-250L00
M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc.
Transistors RF GaAs 1.2-1.4GHz 50Volt 250W Pk Gain 17.8dB TRANSISTOR,GAN,250W 1.2-1.4GHZ Transistors RF JFET 1.2-1.4GHz 50Volt 250W Pk Gain 17.8dB Trans JFET 8.8A GaN HEMT 3-Pin
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | RF JFET |
| 其他名称 | 1465-1087 |
| 标准包装数量 | 5 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 增益 | 17.6dB |
| 频率 | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| 额定输出功率 | 250W |
| 测试电压 | 50V |
| 额定电压 | 65V |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 输出电流 | 250mA |
| 最大额定电流 | 9A |
| 电流传输比（最小） | 5 S |
| 漏源电压（Vdss） | 175 V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 8 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 8 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Bulk |
| 安装类型 | Screw |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | Cu/Mo/Cu flanged ceramic |
| 位数 | 3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | GaN SiC HEMT |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 40 C to + 95 C |
| 结工作温度 | 95C |