---
source: huluic.cn
data_as_of: 2026-09-29T09:24:44.025Z
max_staleness: 1h
cached: false
source_url: https://huluic.cn/product/m-a-com-technology-solutions/magx-001214-125l00/nzyaVJGz
---

# 元件详情：MAGX-001214-125L00

- **型号**: MAGX-001214-125L00
- **oneic 编号**: 636-MAGX-001214-125L00
- **厂商**: M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc.
- **描述**: Transistors RF GaAs 1.2-1.4GHz 50Volt 125W Pk Gain 18dB TRANSISTOR,GAN,125W 1.2-1.4GHZ Transistors RF JFET 1.2-1.4GHz 50Volt 125W Pk Gain 18dB
- **分类**: 分立半导体元件 / 大功率分立半导体模块 / IGBT模块

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 产品 | RF JFET |
| 其他名称 | 1465-1086 |
| 标准包装数量 | 5 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 增益 | 18.4dB |
| 频率 | * |
| 额定输出功率 | 125W |
| 测试电压 | 50V |
| 额定电压 | 65V |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 输出电流 | 100mA |
| 最大额定电流 | 4.8A |
| 电流传输比（最小） | 2.5 S |
| 漏源电压（Vdss） | 175 V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 8 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3.9 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Bulk |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | Cu/Mo/Cu flanged ceramic |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | GaN SiC HEMT |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | - 40 C to + 95 C |

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/MAGX-001214-125L00`

> 现货购买：[huluic.cn 产品页](https://huluic.cn/product/m-a-com-technology-solutions/magx-001214-125l00/nzyaVJGz?utm_source=huluic&utm_medium=md&utm_campaign=geo)

---
数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)