MAGX-001214-125L00
M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc.
Transistors RF GaAs 1.2-1.4GHz 50Volt 125W Pk Gain 18dB TRANSISTOR,GAN,125W 1.2-1.4GHZ Transistors RF JFET 1.2-1.4GHz 50Volt 125W Pk Gain 18dB
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | RF JFET |
| 其他名称 | 1465-1086 |
| 标准包装数量 | 5 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 增益 | 18.4dB |
| 频率 | * |
| 额定输出功率 | 125W |
| 测试电压 | 50V |
| 额定电压 | 65V |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 输出电流 | 100mA |
| 最大额定电流 | 4.8A |
| 电流传输比（最小） | 2.5 S |
| 漏源电压（Vdss） | 175 V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 8 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3.9 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Bulk |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | Cu/Mo/Cu flanged ceramic |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | GaN SiC HEMT |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 40 C to + 95 C |