规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 商标名 | HiPerFET |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 480W |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100 V |
| 导通电阻（最大） | 6 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 185nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 10500pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 180A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| 供应商器件封装 | TO-263AA |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | IXFA180N10 |
| 技术 | Si |
| 制造商全称 | IXYS |