M51264K110
Kingston Technology Company, Inc.
DRAM Module 4Gbyte SODIMM
规格参数
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 时钟速率 | 1600 MHz |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 安装类型 | Socket |
| 冷却的封装 | SODIMM |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 密度 | 4GByte b |
| 主要用途 | DRAM Module |
| 模块/板类型 | SODIMM |
DRAM Module 4Gbyte SODIMM
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 抗辐射加固 | No |
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 时钟速率 | 1600 MHz |
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 安装类型 | Socket |
| 冷却的封装 | SODIMM |
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 密度 | 4GByte b |
| 主要用途 | DRAM Module |
| 模块/板类型 | SODIMM |