规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 79 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | N-Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | - 50 V |
| 平均正向功率 | 250 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V |
| 电流传输比（最小） | 1 mS |
| 漏源电压（Vdss） | 7 mA |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | - 200 uA |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Bulk |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-71-3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | IFN519 |
| 技术 | Si |
| 制造商全称 | InterFET |
| 配置 | Dual |