IS41C16100C-50TLI

IS41C16100C-50TLI

Integrated Silicon Solution, Inc.

DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 5V 44-Pin TSOP-II DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Async IC DRAM 16M 50NS 54TSOP

规格参数

商业参数

参数值
标准包装数量117
工厂包装数量117
标准封装名称TSOP

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

参数值
转速50ns
接口Parallel
时钟速率Not Required MHz
存取时间50 ns
存储器容量16M (1M x 16)
存储器类型DRAM - EDO
额定电压4.5
输出电流90 mA
供电电流90 mA
供电电压5 V
最大额定电流90
最小供电电压4.5 V
共模瞬态抗扰度(最小)Industrial

机械参数

参数值
宽度10.16
包装方式Tray
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
冷却的封装TSOP-II
总长度20.95
包装数量TSOP-II
位数1
外壳尺寸-插件1
供应商器件封装54-TSOP II
核心数/总线宽度16 bit

产品信息

参数值
类型EDO
系列IS41C16100C
密度16777216 Bit
制造商全称1Mx16
存储器格式RAM
总线连接10 b
地址数量10
印刷电路板数量44

环境参数

参数值
工作温度-40C to 85C