BSS192P

BSS192P

Infineon Technologies AG

BSS192P, P-channel 0.19A -250V, 4-Pin PG-SOT-89 MOSFETP-ch250V0.19ASIPMOSSOT89 Infineon , P沟道 MOSFET, 190 mA, Vds=250 V, 3针 SOT-89封装

规格参数

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant Part

电气参数

参数值
最大栅源电压 Vgs±20 V
开通延迟时间4.7 ns
输出功能增强
晶体管类型Si
关断延迟时间72 ns
首抽头延迟72 ns
供电电压250 V
元件数量1
输入电阻20 Ω
Vgs(th)(最大)@ Id2V
击穿电压-250 V
最大功耗1 W
导通电阻(最大)20 Ω
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs-4.9 nC @ -10 V
开关时间(Ton, Toff)(最大)4.7 ns
峰值脉冲电流(10/1000µs)0.19 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds83 pF @ -25 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C190 mA

机械参数

参数值
宽度2.5mm
高度1.5mm
长度4.5mm
安装类型Surface Mount
引脚数3
冷却的封装PG-SOT-89
包装数量SOT-89
尺寸/外形4.5 x 2.5 x 1.5mm
位数4

产品信息

参数值
功能Y
通道类型Enhancement
卡标准Small Signal
配置Dual Drain

环境参数

参数值
工作温度+150 °C