2N7002

2N7002

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Channel 60V 0.3A SOT23 Infineon , N沟道 MOSFET, 300 mA, Vds=60 V, 3针 SOT-23封装

规格参数

电气参数

参数
最大栅源电压 Vgs±20 V
开通延迟时间3 ns
输出功能增强
晶体管类型Si
关断延迟时间5.5 ns
首抽头延迟5.5 ns
供电电压60 V
元件数量1
输入电阻4 Ω
Vgs(th)(最大)@ Id2.5V
击穿电压60 V
最大功耗0.5 W
导通电阻(最大)4 Ω
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs0.4 nC V @ 10
开关时间(Ton, Toff)(最大)3 ns
峰值脉冲电流(10/1000µs)0.30 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds13 pF V @ 25
连续漏极电流(Id)@ 25°C300 mA

机械参数

参数
宽度1.3mm
高度1mm
长度2.9mm
安装类型Surface Mount
引脚数3
冷却的封装PG-SOT-23
包装数量SOT-23
尺寸/外形2.9 x 1.3 x 1mm
位数3

产品信息

参数
功能Y
通道类型Enhancement
卡标准Small Signal
配置Quad Drain, Triple Source

环境参数

参数
工作温度+150 °C