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# 元件详情：BSC011N03LSIXT

- **型号**: BSC011N03LSIXT
- **oneic 编号**: 173-BSC011N03LSIXT
- **厂商**: Infineon Technologies AG
- **描述**: MOSFET OptiMOS Power MOSFET MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 商标名 | OptiMOS |
| 零件号别名 | BSC011N03LSIATMA1 SP000884574 |
| 工厂包装数量 | 5000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 下降时间 | 6.2 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 72 nC |
| 额定功率 | 96 W |
| 上升时间（典型） | 8.8 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 37 ns |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.2 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.1 mOhms |
| 平均正向功率 | 96 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 900 uOhms |
| 电流传输比（最小） | 80 S |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 6.4 ns |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/-  20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 100 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 100 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 1.27 mm |
| 长度 | 5.9 mm |
| 包装方式 | Reel |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | PG-TSDSON-8 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | BSC011N03 |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Infineon Technologies |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | - 55 C |

## 实时报价

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