BC 850B E6327

BC 850B E6327

Infineon Technologies AG

Transistors Bipolar - BJT NPN SilicnAF TRNSTRS Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23 Bipolar Transistors - BJT NPN SilicnAF TRNSTRS

规格参数

商业参数

参数值
其他名称BC 850B E6327CT
零件号别名BC850BE6327HTSA1 SP000010572
产品类别Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量3,000
工厂包装数量3000
标准封装名称SOT-23

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
最大功率330mW
最大频率250(Typ)
晶体管类型NPN
供电电压45V
元件数量1
Vce饱和电压(最大)200 mV
最小输入电压45
过渡频率250MHz
增益带宽积250 MHz (Typ)
电源电压(最大)6
平均正向功率330 mW
最大功耗330 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic50 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
集电极电流(Ic)(最大)100mA
集电极截止电流(最大)0.1 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce200@2mA@5V

机械参数

参数值
宽度1.3 mm
高度1 mm
长度2.9 mm
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包装数量SOT-23
位数3
供应商器件封装PG-SOT23-3

产品信息

参数值
类型NPN
系列BC850
制造商全称Infineon Technologies
配置Single

环境参数

参数值
工作温度- 65 C