BC 848B E6327

BC 848B E6327

Infineon Technologies AG

Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23 Infineon , NPN 晶体管, 0.1 A, Vce=30 V, HFE:110, 3针 SOT-23封装 Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

规格参数

商业参数

参数值
其他名称BC 848B E6327CT
零件号别名BC848BE6327HTSA1 SP000010561
产品类别Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
最大功率330mW
晶体管类型NPN
供电电压30V
元件数量1
Vce饱和电压(最大)200 mV
过渡频率250MHz
增益带宽积250 MHz (Typ)
平均正向功率330 mW
最大功耗330 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
集电极电流(Ic)(最大)100mA
集电极截止电流(最大)0.1 A
阳极-阴极电压(Vak)(最大)6 V
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V

机械参数

参数值
宽度1.3mm
高度0.9mm
长度2.9mm
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数3
封装形式TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包装数量SOT-23
尺寸/外形2.9 x 1.3 x 0.9mm
供应商器件封装PG-SOT23-3

产品信息

参数值
系列BC848
制造商全称Infineon Technologies
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C