规格参数
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 零件状态 | Obsolete |
| 资质认证 | - |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20V |
| FET特性 | - |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.3V @ 18µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 16.9mOhm @ 20A, 10V |
| 最大功耗 | 2.5W (Ta), 43W (Tc) |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1000 pF @ 50 V |
| 驱动电压（最大Rds On，最小Rds On） | 4.5V, 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 8.8A (Ta), 37A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 等级 | - |
| 系列 | OptiMOS™ 5 |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基础产品编号 | ISC0803N |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |